集成電路制造工藝員（三級(jí)）單項(xiàng)選擇題每日一練(2019.01.20)

A.溫度
B.硅-二氧化硅界面處的化學(xué)反應(yīng)
C.氧的擴(kuò)散速率
D.壓力

A.真空度
B.磁場強(qiáng)度
C.體積
D.溫度

A.結(jié)晶形態(tài)
B.非結(jié)晶形態(tài)
C.可能是結(jié)晶形態(tài)的，也可能是非結(jié)晶形態(tài)的
D.以上都不對(duì)

A.3
B.4
C.5
D.6

A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide