問答題

【簡答題】

請選出正確選項填入括號內
在室溫下，半導體Si中摻入濃度為1014cm-3的磷雜質后，半導體中多數(shù)載流子是（），多子濃度為（），費米能級的位置（）；一段時間后，再一次向半導體中摻入濃度為1.1×1015cm-3的硼雜質，半導體中多數(shù)載流子是（），多子濃度為（），費米能級的位置（）；如果，此時溫度從室溫升高至K550，則雜質半導體費米能級的位置（）。（已知：室溫下，ni=1010cm-3；K550時，ni=1017cm-3）

答案：

C；D；G；B；E；H；I
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