你可能感興趣的試題

硅導(dǎo)帶結(jié)構(gòu)為（）。

A. 位于第一布里淵區(qū)內(nèi)沿<100>方向的6個球形等能面
B. 一半位于第一布里淵區(qū)內(nèi)沿<111>方向的6個球形等能面
C. 一半位于第一布里淵區(qū)內(nèi)沿<111>方向的8個橢球等能面
D. 位于第一布里淵區(qū)內(nèi)沿<100>方向的6個橢球等能面

單項選擇題

半導(dǎo)體中由于濃度差引起的載流子的運動為（）。

A.漂移運動
B.擴散運動
C.熱運動
D.共有化運動

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雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）。

你可能感興趣的試題

硅導(dǎo)帶結(jié)構(gòu)為（）。

半導(dǎo)體中由于濃度差引起的載流子的運動為（）。

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）。

硅導(dǎo)帶結(jié)構(gòu)為（）。

半導(dǎo)體中由于濃度差引起的載流子的運動為（）。