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問答題

【計算題】計算本征硅在室溫時的電阻率。設(shè)電子遷移率和空穴遷移率分別為1350cm²/v˙s，和500cm²/v˙s。當(dāng)摻入百萬分之一的砷后，設(shè)雜質(zhì)全部電離，計算其電導(dǎo)率比本征硅的電導(dǎo)率增大多少倍？n_i=1.5×10¹³/cm³。

答案：

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【計算題】已知本征鍺的電導(dǎo)率在310K時為3.56×10^-2S/cm，在273K時為0.42×10^-2S/cm，一個n型鍺樣品，在上述兩個溫度時，其施主雜質(zhì)濃度N_D=10¹⁵/cm³。計算在上述兩個溫度n型鍺樣品的電導(dǎo)率。μ_n=3600cm²/v˙s，μ_p=1700cm²/v˙s。

答案：

【計算題】在摻入硼的非簡并p型硅樣品中含有一定濃度的銦，在室溫下電阻率為2.84Ω˙cm，已知所摻硼的濃度N_a1=10¹⁶10/cm³，硼的電離能E_a1-Ev=0.045eV，銦的電離能E_a2-Ev=0.16eV，求樣品中銦的濃度。Nv=1.04×10¹⁹/cm³，μ_p=200cm²/v˙s。

答案：

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