單項選擇題

下列關(guān)于缺陷形成漏磁通的敘述，正確的是（）

A．缺陷離試件表面越近，形成的漏磁通越小
B．在磁化狀態(tài)、缺陷類型和大小為一定時，其漏磁通密度受缺陷方向影響
C．交流磁化時，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化時的漏磁通要小
D．在磁場強度、缺陷類型和大小為一定時，其漏磁通密度受磁化方向影響；
E．除A以外都對

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