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問(wèn)答題
【論述題】為什么用QS1型西林電橋測(cè)量小電容試品介質(zhì)損耗因數(shù)時(shí)，采用正接線(xiàn)好？
答案：
小電容（小于500pF）試品主要有電容型套管、電容型電流互感器等。對(duì)這些試品采用QS1型西林電橋的正、反接線(xiàn)進(jìn)行測(cè)量時(shí)，...
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問(wèn)答題
【論述題】
在電場(chǎng)干擾下測(cè)量電力設(shè)備絕緣的tgδ，其干擾電流是怎樣形成的？
答案：
測(cè)量回路。若把被試設(shè)備以外的所有測(cè)量線(xiàn)路都屏蔽起來(lái)，這時(shí)從外部通過(guò)被試設(shè)備在測(cè)量線(xiàn)路中流過(guò)的所有電流之和稱(chēng)為干擾電流。因...
問(wèn)答題
【論述題】測(cè)量小容量試品的介質(zhì)損耗因數(shù)時(shí)，為什么要求高壓引線(xiàn)與試品的夾角不小于90°？
答案：
由于試品容量很小，高壓引線(xiàn)與試品的雜散電容對(duì)測(cè)量的影響不可忽視。圖F-4為測(cè)量互感器介質(zhì)損耗因數(shù)的接線(xiàn)圖。高壓引線(xiàn)與試品...
