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問答題
【簡答題】例舉并描述熱生長SiO
2
–Si系統(tǒng)中的電荷有哪些?
答案:
界面陷阱電荷、可移動(dòng)氧化物電荷。
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【簡答題】影響氧化速度的因素有哪些?
答案:
摻雜物、晶體晶向、壓力、溫度、水蒸氣。
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問答題
【簡答題】描述熱氧化過程。
答案:
①干氧:Si+O
2
SiO
2
氧化速度慢,氧化層干燥、致密,均勻性、...
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