問答題

【簡答題】典型的GaAsMESFET結(jié)構(gòu)IC的工藝流程?

答案:存底的制備----硅氧化---生長埋層---外延生長---生長隔離區(qū)---生長基區(qū)---發(fā)射區(qū)及集電極接觸區(qū)生長---形...
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