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【論述題】簡述外延薄膜的生長過程,其最顯著的特征是什么?
答案:
生長過程:①傳輸:反應物從氣相經(jīng)邊界層轉(zhuǎn)移到Si表面;②吸附:反應物吸附在Si表面;③化學反應:在Si表面進行化學反應,...
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【論述題】簡述APCVD、LPCVD、PECVD的特點。
答案:
APCVD——一些最早的CVD工藝是在大氣壓下進行的,由于反應速率快,CVD系統(tǒng)簡單,適于較厚的...
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問答題
【論述題】CVD淀積過程中兩個主要的限制步驟是什么?它們分別在什么情況下會支配整個淀積速率?
答案:
CVD過程包括兩個部分:一、反應劑在邊界層中的輸運二、反應劑在襯底表面的化學反應存在兩種極限情況:①hg>>ks,Cs趨...
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