單項選擇題

在集成電路工藝中，光復制圖形和材料刻蝕相結合的工藝技術是（）。

A.刻蝕
B.氧化
C.淀積
D.光刻

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單項選擇題

在熱擴散工藝中的預淀積步驟中，硼在950～1100℃的條件下，擴散時間大約（）為宜。

A.4～6h
B.50min～2h
C.10～40min
D.5～10min

單項選擇題

在熱擴散工藝中的預淀積步驟中，硼在900～1050℃的條件下，擴散時間大約（）為宜。

A.4～6h
B.50min～2h
C.10～40min
D.5～10min

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