多項選擇題

通常情況下，我們改變工藝條件使刻蝕進行中（）的刻蝕速率盡量低。

A.光刻膠
B.襯底
C.表面硅層
D.擴散區(qū)
E.源漏區(qū)

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單項選擇題

（）是測量在刻蝕過程中物質(zhì)被移除的速率有多快的一種參數(shù)。

A.刻蝕速率
B.刻蝕深度
C.移除速率
D.刻蝕時間

單項選擇題

電離氣體與普通氣體的不同之處在于：后者是由電中性的分子或原子組成的，前者則是（）和中性粒子組成的集合體。

A.離子
B.原子團
C.電子
D.帶電粒子

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