<input id="gjwgm"><pre id="gjwgm"></pre></input><var id="gjwgm"></var>

填空題

GaAs以及InP的禁帶寬度分別為（）；（），與高效率最適合的1.4ev~1.5ev相近。

答案： 1.42ev、1.35ev

你可能感興趣的試題

太陽能單一結(jié)電池片可以分為（）；（）、雙異質(zhì)性結(jié)構(gòu)、傾斜禁帶寬度型、異質(zhì)結(jié)構(gòu)、短鍵位壘型、量子阱結(jié)構(gòu)超晶格結(jié)構(gòu)、Si以及Ge基片上的薄膜電池片上。

答案：同種材料pn結(jié)型、異質(zhì)表面性

在同質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)中，為了得到20%以上的高效率，必須讓結(jié)合深度在（）以下的淺層處，因此在異質(zhì)表面結(jié)構(gòu)中，通入插入寬禁帶寬度的窗層，增加結(jié)合深度高定的自由度，就可以實現(xiàn)高效率。

答案： 50nm

感谢您访问我们的网站，您可能还对以下资源感兴趣：

国产黄色视屏

视频一区二区无码制服师生国产三级香港三级人妇国产码一区二区在线观看国产伦精品一区二区三区免费观看