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高阻襯底材料上生長低阻外延層的工藝稱為正向外延。
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判斷題
CVD是利用某種物理過程,例如蒸發(fā)或者濺射現(xiàn)象實現(xiàn)物質(zhì)的轉移,即原子或分子由源轉移到襯底(硅)表面上,并淀積成薄膜。
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判斷題
快速熱處理是一種小型的快速加熱系統(tǒng),帶有輻射熱和冷卻源,通常一次處理一片硅片。
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