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磁粉探傷方法適用于檢測點(diǎn)狀缺陷和平行于表面的分層。
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試件中的磁感應(yīng)強(qiáng)度,一般說在達(dá)到B-H曲線拐點(diǎn)附近時,漏磁場急劇增大。
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外加磁場方向和缺陷不平行時,比平行時產(chǎn)生的磁場要小。
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