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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】為什么PN結(jié)探測(cè)器結(jié)區(qū)不能做得很厚?這個(gè)缺點(diǎn)帶來(lái)了什么問(wèn)題?
答案:
因?yàn)镾i材料的摻雜濃度無(wú)法做得很小,因此同樣反向電壓下,結(jié)區(qū)的厚度不大,僅為mm量級(jí)。雖然可以通過(guò)提高反向電壓來(lái)增大厚度...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】增加金硅面壘探測(cè)器的反向電壓,會(huì)有什么好處,又會(huì)有什么壞處?應(yīng)該怎么選擇反向電壓的大???好處是
答案:
增大靈敏體積,減小結(jié)電容(電容噪聲?。?;
壞處是反向電流會(huì)增大;
反向電壓有一個(gè)最優(yōu)值,此時(shí)能量分辨率最好。
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】在影響半導(dǎo)體探測(cè)器分辨率的各項(xiàng)因素中,電荷靈敏前置放大器的噪聲也是重要的一項(xiàng)。什么是零電容噪聲,什么是噪聲斜率?如果零電容噪聲為1keV,噪聲斜率為0.03keV/pf,現(xiàn)知道由前放造成的能量展寬為7keV,哪么探測(cè)器的電容是多大?
答案:
200pf
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