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A.空穴是一種真實(shí)存在的微觀粒子
B.MIS結(jié)構(gòu)電容可等效為絕緣層電容與半導(dǎo)體表面電容的的并聯(lián)
C.穩(wěn)態(tài)和熱平衡態(tài)的物理含義是一樣的
D.同一種半導(dǎo)體材料中，電子遷移率比空穴遷移率高

A.若半導(dǎo)體導(dǎo)帶中發(fā)現(xiàn)電子的幾率為0，則該半導(dǎo)體必定處于絕對(duì)零度
B.計(jì)算簡(jiǎn)并半導(dǎo)體載流子濃度時(shí)不能用波爾茲曼統(tǒng)計(jì)代替費(fèi)米統(tǒng)計(jì)
C.處于低溫弱電離區(qū)的半導(dǎo)體，其遷移率和電導(dǎo)率都隨溫度升高而增大
D.半導(dǎo)體中，導(dǎo)帶電子都處于導(dǎo)帶底Ec能級(jí)位置