問答題

【簡答題】Si/SiGe材料系統(tǒng)的HBT工藝取得了哪些長足進(jìn)步？

答案： 截止頻率大于100GHz的SiGeHBT已成功實(shí)現(xiàn)；已經(jīng)開發(fā)出包含fmax=60GHz的SiGeHBT和0.25μm的C...
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問答題

【簡答題】目前，III/V族化合物構(gòu)成的高速HBT可達(dá)到哪些性能？
答案：

它們的fT和fmax已分別超過150Ghz和200GHz
問答題

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答案：

高速度、低功耗
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