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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述化學(xué)機(jī)械平坦化的工作原理。它的拋光速率受哪些因素的影響？
答案：
CMP是利用wafer和拋光頭之間的運(yùn)動(dòng)來(lái)平坦化wafer表面的，通過(guò)比去除低處圖形快的速度去除高處圖形來(lái)獲得平坦的wa...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】摻雜在半導(dǎo)體生產(chǎn)中的作用有哪些？
答案：
形成PN結(jié)；
形成電阻；
形成歐姆接觸；
形成雙極型有源器件的基區(qū)、發(fā)射區(qū)、集電區(qū)、MOS管的源、漏區(qū)；形成電橋作互連線(xiàn)。
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】化學(xué)氣相淀積薄膜的生長(zhǎng)過(guò)程是怎樣的？
答案：
（1）參加反應(yīng)的氣體混合物被輸運(yùn)到沉積區(qū)；
（2）反應(yīng)物由主氣流擴(kuò)散到襯底表面；
（3）反應(yīng)物分鐘吸...
（2）反應(yīng)物由主氣流擴(kuò)散到襯底表面；
（3）反應(yīng)物分鐘吸...
