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點缺陷,如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷,和由它們構成的復合體。()
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遷移率是反映半導體中載流子導電能力的重要參數(shù)。摻雜半導體的電導率一方面取決于摻雜的濃度,另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度,載流子的遷移率越大,材料的電導率就越高。()
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單晶是原子或離子沿著三個不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列,并沿一致的晶體學取向所堆垛起來的遠程有序的晶體。()
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