單項(xiàng)選擇題

依據(jù)《電力系統(tǒng)污區(qū)分級(jí)與外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》，帶電系數(shù)K1是同型式絕緣子（）。

A.非帶電所測(cè)ESDD/NSDD與帶電所測(cè)ESDD/NSDD值之比
B.帶電所測(cè)ESDD/NSDD與非帶電所測(cè)ESDD/NSDD值之比
C.非帶電所測(cè)NSDD/ESDD與帶電所測(cè)ESDD/NSDD值之比
D.帶電所測(cè)NSDD/ESDD與非帶電所測(cè)ESDD/NSDD值之比

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單項(xiàng)選擇題

依據(jù)《電力系統(tǒng)污區(qū)分級(jí)與外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》，絕緣子的爬電距離與其兩端承擔(dān)的最高運(yùn)行電壓之比稱(chēng)為（）。

A.爬電比距
B.統(tǒng)一爬電比距
C.最小爬電比距
D.最大爬電比距

單項(xiàng)選擇題

依據(jù)《電力系統(tǒng)污區(qū)分級(jí)與外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》，現(xiàn)場(chǎng)污穢度應(yīng)在絕緣子連續(xù)（）積污后進(jìn)行測(cè)量。

A.1年~3年
B.2年~4年
C.3年~5年
D.4年~6年

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依據(jù)《電力系統(tǒng)污區(qū)分級(jí)與外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》，帶電系數(shù)K1是同型式絕緣子（）。

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依據(jù)《電力系統(tǒng)污區(qū)分級(jí)與外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》，絕緣子的爬電距離與其兩端承擔(dān)的最高運(yùn)行電壓之比稱(chēng)為（）。

依據(jù)《電力系統(tǒng)污區(qū)分級(jí)與外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》，現(xiàn)場(chǎng)污穢度應(yīng)在絕緣子連續(xù)（）積污后進(jìn)行測(cè)量。

依據(jù)《電力系統(tǒng)污區(qū)分級(jí)與外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》，帶電系數(shù)K1是同型式絕緣子（）。

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依據(jù)《電力系統(tǒng)污區(qū)分級(jí)與外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》，現(xiàn)場(chǎng)污穢度應(yīng)在絕緣子連續(xù)（）積污后進(jìn)行測(cè)量。