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問答題

【計算題】設鍺中施主雜質的電離能ΔE_D=0.01eV，在室溫下導帶底有效狀態(tài)密度N_c=1.04×10¹⁹/cm³，若以施主雜質電離90%作為電離的標準，試計算在室溫（T=300K）時保持雜質飽和電離的施主雜質濃度范圍。

答案：

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【計算題】一硅半導體含有施主雜質濃度N_D=9×10¹⁵/cm³，和受主雜質濃度N_A=1.1×10¹⁶/cm³，求在T=300K時（n_i=1.3×10¹⁰/cm³）的電子空穴濃度以及費米載流了濃度。

答案：

【計算題】一塊n型硅材料，摻有施主濃度N_D=1.5×10¹⁵/cm³，在室溫（T=300K）時本征載流濃度n_i=1.3×10¹²/cm³，求此時該塊半導體的多數(shù)載流子濃度和少數(shù)載流子濃度。

答案：

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