A.≥2K2+δ1+50 B.≥2δ2tgβ+2K2+δ1+50 C.≥K1+2tgβδ1+50 D.≥2K1+δ2+50
A.2.5MHz B.4MHz C.1MHz D.以上都是
A.直探頭,接管內(nèi)壁,垂直法 B.斜探頭,接管內(nèi)蓖,直射法 C.斜探頭容器外表面,一次或二次波法 D.以上一種或兩種組合方式