半導體芯片制造工半導體芯片制造中級工章節(jié)練習(2019.03.07)

填空題
在一個晶圓上分布著許多塊集成電路，在封裝時將各塊集成電路切開時的切口叫（）。
答案：劃片槽
判斷題
值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個重要參數(shù)，也是檢驗晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個pn結質(zhì)量優(yōu)劣的重要標志。（）
答案：正確
單項選擇題
二氧化硅在擴散時能對雜質(zhì)起掩蔽作用進行（）擴散。
A.預
B.再
C.選擇
判斷題
金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜，帶膠蒸發(fā)或濺射所需的金屬，然后在去除光致抗蝕劑膜的同時，把膠膜上的金屬一起去除干凈。（）
答案：正確
單項選擇題
說明構成每個單元所需的基本門和基本單元的集成電路設計過程叫（）：
A、邏輯設計
B、物理設計
C、電路設計
D、系統(tǒng)設計
問答題
什么叫光刻？光刻工藝質(zhì)量的基本要求是什么？
答案：光刻是一種圖形復印和化學腐蝕相結合的精密表面加工技術。
對光刻工藝質(zhì)量的基本要求是：刻蝕的圖形完整、尺寸準確、...
判斷題
單晶是原子或離子沿著三個不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學取向所堆垛起來的遠程有序的晶體。（）
答案：正確
填空題
大容量可編程邏輯器件分為（）和（）。
答案：復雜可編程邏輯器件；現(xiàn)場可編程門陣列
判斷題
邏輯電路只能處理“非O即1“這兩個值。（）
答案：正確
單項選擇題
從離子源引出的是：（）
A、原子束
B、分子束
C、中子束
D、離子束

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半導體芯片制造工半導體芯片制造中級工章節(jié)練習(2019.03.07)

在一個晶圓上分布著許多塊集成電路，在封裝時將各塊集成電路切開時的切口叫（）。

值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個重要參數(shù)，也是檢驗晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個pn結質(zhì)量優(yōu)劣的重要標志。（）

二氧化硅在擴散時能對雜質(zhì)起掩蔽作用進行（）擴散。

金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜，帶膠蒸發(fā)或濺射所需的金屬，然后在去除光致抗蝕劑膜的同時，把膠膜上的金屬一起去除干凈。（）

說明構成每個單元所需的基本門和基本單元的集成電路設計過程叫（）：

什么叫光刻？光刻工藝質(zhì)量的基本要求是什么？

單晶是原子或離子沿著三個不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學取向所堆垛起來的遠程有序的晶體。（）

大容量可編程邏輯器件分為（）和（）。

邏輯電路只能處理“非O即1“這兩個值。（）

從離子源引出的是：（）

半導體芯片制造工半導體芯片制造中級工章節(jié)練習(2019.03.07)

在一個晶圓上分布著許多塊集成電路，在封裝時將各塊集成電路切開時的切口叫（）。

值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個重要參數(shù)，也是檢驗晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個pn結質(zhì)量優(yōu)劣的重要標志。（）

二氧化硅在擴散時能對雜質(zhì)起掩蔽作用進行（）擴散。

金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜，帶膠蒸發(fā)或濺射所需的金屬，然后在去除光致抗蝕劑膜的同時，把膠膜上的金屬一起去除干凈。（）

說明構成每個單元所需的基本門和基本單元的集成電路設計過程叫（）：

什么叫光刻？光刻工藝質(zhì)量的基本要求是什么？

單晶是原子或離子沿著三個不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學取向所堆垛起來的遠程有序的晶體。（）

大容量可編程邏輯器件分為（）和（）。

邏輯電路只能處理“非O即1“這兩個值。（）

從離子源引出的是：（）

在一個晶圓上分布著許多塊集成電路，在封裝時將各塊集成電路切開時的切口叫（）。

值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個重要參數(shù)，也是檢驗晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個pn結質(zhì)量優(yōu)劣的重要標志。（）

二氧化硅在擴散時能對雜質(zhì)起掩蔽作用進行（）擴散。

金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜，帶膠蒸發(fā)或濺射所需的金屬，然后在去除光致抗蝕劑膜的同時，把膠膜上的金屬一起去除干凈。（）

什么叫光刻？光刻工藝質(zhì)量的基本要求是什么？

單晶是原子或離子沿著三個不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學取向所堆垛起來的遠程有序的晶體。（）

大容量可編程邏輯器件分為（）和（）。

邏輯電路只能處理“非O即1“這兩個值。（）