你可能感興趣的試題

單項(xiàng)選擇題

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）。

A.變大，變小
B.變小，變大
C.變小，變小
D.變大，變大

單項(xiàng)選擇題

硅導(dǎo)帶結(jié)構(gòu)為（）。

A. 位于第一布里淵區(qū)內(nèi)沿<100>方向的6個(gè)球形等能面
B. 一半位于第一布里淵區(qū)內(nèi)沿<111>方向的6個(gè)球形等能面
C. 一半位于第一布里淵區(qū)內(nèi)沿<111>方向的8個(gè)橢球等能面
D. 位于第一布里淵區(qū)內(nèi)沿<100>方向的6個(gè)橢球等能面

感谢您访问我们的网站，您可能还对以下资源感兴趣：

国产黄色视屏

视频一区二区无码制服师生国产三级香港三级人妇国产码一区二区在线观看国产伦精品一区二区三区免费观看

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）。

你可能感興趣的試題

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）。

硅導(dǎo)帶結(jié)構(gòu)為（）。

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）。

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）。

硅導(dǎo)帶結(jié)構(gòu)為（）。