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單項選擇題
大硅片上生長的()的不均勻和各個部位刻蝕速率的不均勻會導(dǎo)致刻蝕圖形轉(zhuǎn)移的不均勻性。
A.薄膜厚度
B.圖形寬度
C.圖形長度
D.圖形間隔
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單項選擇題
刻蝕要求在整個晶圓上有一個均勻的刻蝕速率,()是在晶圓上由測量刻蝕過程前后特定點的厚度,并計算這些點的刻蝕速率而得到的。
A.選擇性
B.均勻性
C.輪廓
D.刻蝕圖案
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多項選擇題
通常情況下,我們改變工藝條件使刻蝕進行中()的刻蝕速率盡量低。
A.光刻膠
B.襯底
C.表面硅層
D.擴散區(qū)
E.源漏區(qū)
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