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【計(jì)算題】計(jì)算含有施主雜質(zhì)濃度為N
D
=9*10
15
cm
-3
,及受主雜質(zhì)濃度為1.1*10
16
cm
3
的硅在300K時的電子和空穴濃度以及費(fèi)米能級的位置。
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問答題
【簡答題】
試分別說明:
1)在一定的溫度下,對本征材料而言,材料的禁帶寬度越窄,載流子濃度越高;
2)對一定的材料,當(dāng)摻雜濃度一定時,溫度越高,載流子濃度越高。
答案:
1)在一定的溫度下,對本征材料而言,材料的禁帶寬度越窄,則躍遷所需的能量越小,所以受激發(fā)的載流子濃度隨著禁帶寬度的變窄而...
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問答題
【計(jì)算題】計(jì)算本征硅在室溫時的電阻率。設(shè)電子遷移率和空穴遷移率分別為1350cm
2
/v˙s,和500cm
2
/v˙s。當(dāng)摻入百萬分之一的砷后,設(shè)雜質(zhì)全部電離,計(jì)算其電導(dǎo)率比本征硅的電導(dǎo)率增大多少倍?n
i
=1.5×10
13
/cm
3
。
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