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填空題

延生長方法比較多，其中主要的有（）外延、（）外延、金屬有機化學氣相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。

答案：化學氣相；液相；分子束

填空題

鋁絲與鋁金屬化層之間用加熱、加壓的方法不能獲得牢固的焊接，甚至根本無法實現(xiàn)焊接的原因是鋁的表面在空氣中極易生成一層（），它們阻擋了鋁原子之間的緊密接觸，達不到原子之間引力范圍的間距。

答案：氧化物

填空題

最常用的金屬膜制備方法有（）加熱蒸發(fā)、（）蒸發(fā)、（）。

答案：電阻；電子束；濺射

單項選擇題

在突緣電阻焊工藝中，要獲得良好的焊接質(zhì)量，必須確定的基本規(guī)范包括（）

A.焊接電流、焊接電壓和電極壓力
B.焊接電流、焊接時間和電極壓力
C.焊接電流、焊接電壓和焊接時間

問答題

引線焊接有哪些質(zhì)量要求？

答案：可靠性好，易保持一定形狀，化學穩(wěn)定性好。盡量少形成金屬間化合物，鍵合引線和焊盤金屬間形成低電阻歐姆接觸。平整度傾斜度，平...

問答題

典型的GaAsMESFET結(jié)構(gòu)IC的工藝流程？

答案：存底的制備----硅氧化---生長埋層---外延生長---生長隔離區(qū)---生長基區(qū)---發(fā)射區(qū)及集電極接觸區(qū)生長---形...

問答題

粘封工藝中，常用的材料有哪幾類？

答案：

常用膠粘劑有熱固性樹脂、熱塑性樹脂和橡膠型膠粘劑3大類。

問答題

潔凈區(qū)工作人員應注意些什么？

答案：保持部件與工具潔凈，保持個人清潔衛(wèi)生.不能把潔凈服提來提去，人員不能觸摸或翻動潔凈服.禁止吃喝，禁止用手表，首飾，指甲油...

填空題

雜質(zhì)原子在半導體中的擴散機理比較復雜，但主要可分為（）擴散和（）擴散兩種。

答案：替位；間隙

填空題

禁帶寬度的大小決定著（）的難易，一般半導體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導體器件中的載流子就越不易受到外界因素，如高溫和輻射等的干擾而產(chǎn)生變化。

答案：電子從價帶跳到導帶

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半導體芯片制造工半導體芯片制造高級工章節(jié)練習(2019.04.22)

延生長方法比較多，其中主要的有（）外延、（）外延、金屬有機化學氣相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。

鋁絲與鋁金屬化層之間用加熱、加壓的方法不能獲得牢固的焊接，甚至根本無法實現(xiàn)焊接的原因是鋁的表面在空氣中極易生成一層（），它們阻擋了鋁原子之間的緊密接觸，達不到原子之間引力范圍的間距。

最常用的金屬膜制備方法有（）加熱蒸發(fā)、（）蒸發(fā)、（）。

在突緣電阻焊工藝中，要獲得良好的焊接質(zhì)量，必須確定的基本規(guī)范包括（）

引線焊接有哪些質(zhì)量要求？

典型的GaAsMESFET結(jié)構(gòu)IC的工藝流程？

粘封工藝中，常用的材料有哪幾類？

潔凈區(qū)工作人員應注意些什么？

雜質(zhì)原子在半導體中的擴散機理比較復雜，但主要可分為（）擴散和（）擴散兩種。

禁帶寬度的大小決定著（）的難易，一般半導體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導體器件中的載流子就越不易受到外界因素，如高溫和輻射等的干擾而產(chǎn)生變化。

半導體芯片制造工半導體芯片制造高級工章節(jié)練習(2019.04.22)

延生長方法比較多，其中主要的有（）外延、（）外延、金屬有機化學氣相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。

鋁絲與鋁金屬化層之間用加熱、加壓的方法不能獲得牢固的焊接，甚至根本無法實現(xiàn)焊接的原因是鋁的表面在空氣中極易生成一層（），它們阻擋了鋁原子之間的緊密接觸，達不到原子之間引力范圍的間距。

最常用的金屬膜制備方法有（）加熱蒸發(fā)、（）蒸發(fā)、（）。

在突緣電阻焊工藝中，要獲得良好的焊接質(zhì)量，必須確定的基本規(guī)范包括（）

引線焊接有哪些質(zhì)量要求？

典型的GaAsMESFET結(jié)構(gòu)IC的工藝流程？

粘封工藝中，常用的材料有哪幾類？

潔凈區(qū)工作人員應注意些什么？

雜質(zhì)原子在半導體中的擴散機理比較復雜，但主要可分為（）擴散和（）擴散兩種。

禁帶寬度的大小決定著（）的難易，一般半導體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導體器件中的載流子就越不易受到外界因素，如高溫和輻射等的干擾而產(chǎn)生變化。

延生長方法比較多，其中主要的有（）外延、（）外延、金屬有機化學氣相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。

鋁絲與鋁金屬化層之間用加熱、加壓的方法不能獲得牢固的焊接，甚至根本無法實現(xiàn)焊接的原因是鋁的表面在空氣中極易生成一層（），它們阻擋了鋁原子之間的緊密接觸，達不到原子之間引力范圍的間距。

最常用的金屬膜制備方法有（）加熱蒸發(fā)、（）蒸發(fā)、（）。

在突緣電阻焊工藝中，要獲得良好的焊接質(zhì)量，必須確定的基本規(guī)范包括（）

引線焊接有哪些質(zhì)量要求？

典型的GaAsMESFET結(jié)構(gòu)IC的工藝流程？

粘封工藝中，常用的材料有哪幾類？

雜質(zhì)原子在半導體中的擴散機理比較復雜，但主要可分為（）擴散和（）擴散兩種。

禁帶寬度的大小決定著（）的難易，一般半導體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導體器件中的載流子就越不易受到外界因素，如高溫和輻射等的干擾而產(chǎn)生變化。